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Silicium - Sputtertarget
Sie sind in 15 Varianten erhältlich und ermöglichen eine präzise Steuerung des Siliziumabscheidungsprozesses für eine Vielzahl von wissenschaftlichen und industriellen Anwendungen. Sie weisen Eigenschaften wie einen geringen spezifischen Widerstand und eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit auf und sind daher ideal für die Mikroelektronik, Photovoltaik und Halbleiterbauelemente. Um eine hervorragende Leistung zu gewährleisten, werden unsere Silizium-Sputter-Targets präzise bearbeitet und sind mit allen gängigen Sputteranlagen kompatibel.
Formel: Si
Reinheit (%): 99,999 %
Dicke: 3 mm
Durchmesser: 35 mm
CAS-Nummer: 7440-21-3
UOM-Code: 257-833-41
Reinheit (%): 99,999 %
Dicke: 3 mm
Durchmesser: 35 mm
CAS-Nummer: 7440-21-3
UOM-Code: 257-833-41
SKU: 1000110101
Produktcode: SI00-ST-000100
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Materialeigenschaften für Metals
Atomic Properties
| Element | Wert |
|---|---|
| Ordnungszahl | 14 |
| Kristallstruktur | Diamond |
| Elektronenstruktur | Ne 3s² 3p² |
| angegebene Valenzen | 4 |
| Atomgewicht( amu ) | 28.0855 |
| Thermischer Neutronenabsorptionsquerschnitt( Barns ) | 0.16 |
| Photoelektrische Austrittsarbeit( eV ) | 4.2 |
| Natürliche Isotopenverteilung( Mass No./% ) | 30/ 3.10 |
| Natürliche Isotopenverteilung( Mass No./% ) | 29/ 4.67 |
| Natürliche Isotopenverteilung( Mass No./% ) | 28/ 92.23 |
| Atomradius - Goldschmidt( nm ) | 0.117 |
| Ionisationspotential( No./eV ) | 5/ 167 |
| Ionisationspotential( No./eV ) | 1/ 8.15 |
| Ionisationspotential( No./eV ) | 2/ 16.3 |
| Ionisationspotential( No./eV ) | 3/ 33.5 |
| Ionisationspotential( No./eV ) | 4/ 45.1 |
| Ionisationspotential( No./eV ) | 6/ 205 |
Mechanische Eigenschaften
| Element | Wert |
|---|---|
| Hardness - Mohs | 7 |
| Materialzustand | Polycrystalline |
| Poissonsche Konstante | 0.42 |
| Kompressionsmodul( GPa ) | 100 |
| E-modul im Zugversuch( GPa ) | 113 |
Elektrische Eigenschaften
| Element | Wert |
|---|---|
| Elektrischer Widerstand( µOhmcm ) | 23 x 10¹⁰@20@20°C |
| Therm. EMK gegenüber Pt (kalt 0C warm 100C)( mV ) | -41.56 |
Physikalische Eigenschaften
| Element | Wert |
|---|---|
| Siedepunkt( C ) | 2355 |
| Density( gcm⁻³ ) | 2.34@20°C |
Thermische Eigenschaften
| Element | Wert |
|---|---|
| Ausglühungspunkt( C ) | 1410 |
| Latente Verdampfungswärme( J g⁻¹ ) | 13700 |
| Latent heat of fusion( J g⁻¹ ) | 1650 |
| Spezifische Wärme( J K⁻¹ kg⁻¹ ) | 703@25°C |
| Wärmeleitfähigkeit( W m⁻¹ K⁻¹ ) | 80-150@0-100°C |
| Linearer Wärmeausdehnungskoeffizient( x10⁻⁶ K⁻¹ ) | 4.7-7.6@0-100°C |
Das kauften andere Kunden
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Silicium - Stab Formula: Si
Percentage Purity: 99.999%
Diameter: 25mm
Length: 100mm
Structure: Crystalline
CAS Number: 7440-21-3
UOM Code: 048-149-51
pro Stück.Ab 273,46 €
Mengenrabatt -
Silicium - Folie/Platte Formel: Si
Reinheit (%): 99,999 %
Dicke: 1 mm
Länge 1: 25 mm
Länge 2: 25 mm
Struktur: Polykristallin
CAS-Nummer: 7440-21-3
UOM-Code: 203-112-54
pro Stück.Ab 186,48 €
Mengenrabatt -
Silicium - Pellets Formula: Si
Percentage Purity: 99.99%
Maximum Lump Size: 7mm
Weight: 100g
Structure: Polycrystalline
Electrical Type: N-Type
CAS Number: 7440-21-3
UOM Code: 000-918-19
pro Stück.Ab 126,88 €
Mengenrabatt -
Nickel/Eisen/Molybdän-Legierung (Ni80/Fe15.5/Mo4.5) - Sputtertarget Formula: Ni80/Fe15.5/Mo 4.5
Thickness: 3mm
Diameter: 50.8mm
UOM Code: 934-571-32
pro Stück.Ab 307,77 €
Mengenrabatt -
Nickel/Vanadium-Legierung (Ni93/V7) - Sputtertarget Formula: Ni93/V 7
Thickness: 3mm
Diameter: 76.2mm
UOM Code: 300-832-51
pro Stück.Ab 382,09 €
Mengenrabatt -
Silicium - Pulver Formula: Si
Percentage Purity: 99.5%
Weight: 100g
Colour: Brown
CAS Number: 7440-21-3
UOM Code: 074-231-18
pro Stück.Ab 140,23 €
Mengenrabatt
