Les images sont fournies à titre indicatif et peuvent ne pas correspondre au produit final.

Passer au début de la Galerie d’images

Cible de pulvérisation cathodique en silicium

Composition: Si

Forme: Cible de pulvérisation

Matériau: silicium

Numéro CAS: 7440-21-3

Catégorie: Metals

Pureté: 99.999%

La cible de pulvérisation cathodique en silicium est un produit de la gamme Goodfellow disponible en 15 variantes. Ces cibles permettent un contrôle précis du processus de dépôt de silicium pour une variété d'applications scientifiques et industrielles. Elles présentent des propriétés telles qu'une faible résistivité et une grande mobilité des porteurs, ce qui les rend idéales pour la microélectronique, la photovoltaïque et les dispositifs à semi-conducteurs. Pour garantir des performances exceptionnelles, notre gamme de cibles de pulvérisation de silicium est usinée avec précision pour être compatible avec les principaux systèmes de pulvérisation.

Favoris

Fiche technique Fiche de données de sécurité Tolérance Propriétés

par unité

Propriétés des matériaux pour Metals

Atomic Properties

Element	Valeur
Numéro atomique	14
Structure de cristal	Diamond
Structure électronique	Ne 3s² 3p²
Valences indiquées	4
Poids atomique( amu )	28.0855
Sect. efficace d'absorp. des neutrons therm.( Barns )	0.16
Fonction de travail photo-électrique( eV )	4.2
Distribution isotopique naturelle( Mass No./% )	30/ 3.10
Distribution isotopique naturelle( Mass No./% )	29/ 4.67
Distribution isotopique naturelle( Mass No./% )	28/ 92.23
Rayon atomique - Goldschmidt( nm )	0.117
Potentiel d'ionisation( No./eV )	5/ 167
Potentiel d'ionisation( No./eV )	1/ 8.15
Potentiel d'ionisation( No./eV )	2/ 16.3
Potentiel d'ionisation( No./eV )	3/ 33.5
Potentiel d'ionisation( No./eV )	4/ 45.1
Potentiel d'ionisation( No./eV )	6/ 205

Propriétés mécaniques

Element	Valeur
Hardness - Mohs	7
Condition du matériau	Polycrystalline
Coefficient de Poisson	0.42
Module d'élasticité cubique( GPa )	100
Module de tension( GPa )	113

Propriétés électriques

Element	Valeur
Résistivité( µOhmcm )	23 x 10¹⁰@20@20°C
EMF therm. sur Pt (froid 0C - chaud 100C)( mV )	-41.56

Propriétés physiques

Element	Valeur
Point d'ébullition( C )	2355
Density( gcm⁻³ )	2.34@20°C

Propriétés thermiques

Element	Valeur
Point de fusion( C )	1410
Chaleur latente d'évaporation( J g⁻¹ )	13700
Latent heat of fusion( J g⁻¹ )	1650
Chaleur spécifique( J K⁻¹ kg⁻¹ )	703@25°C
Conductivité thermique( W m⁻¹ K⁻¹ )	80-150@0-100°C
Coefficient d'expansion thermique( x10⁻⁶ K⁻¹ )	4.7-7.6@0-100°C