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Silicium ( Si ) - Einkristall   -   Materialinformationen


Einkauf Silicium Einkristall on-line

Wir liefern die folgenden Standard-Formen ab Lager:
Einkristall Granulat Kugel Platte Pulver Sputtertarget Stab
Einkristall Granulat Kugel Platte Pulver Sputtertarget Stab
Allgemeine Beschreibung  

1824 in Stockholm von J.J. Berzelius entdeckt.

Nach Kohlenstoff ist Silicium das häufigste Element auf der Erde (277.000 ppm). Es tritt im allgemeinen als Silikat auf. Silikate sind in vielen Fels-, Lehm- und Erdarten enthalten. Silicium wird durch Reduktion von Kieselerde (Sand SiO2) mit Kohlenstoff gewonnen. Anwendungen, die Silicium von großer Reinheit erfordern (z.B. Halbleitergeräte), wird das Element im Zonenschmelzverfahren noch weiter gereinigt. Die dabei erreichte Reinheit ist höher als 1:109.

Silicium kommt in zwei allotropen Formen vor: Braunes Silicium ist ein Pulver, während kristallines (metallisches) Silicium grau ist. Letzteres wird häufiger benutzt. In großer Menge auftretendes Silicium reagiert nicht mit Sauerstoff, Wasser oder Säuren (außer Flußsäure), ist jedoch in heißen, alkalischen Substanzen löslich.

Silicium wird in vielen industriellen Bereichen verwendet. Aufgrund seiner Halbleitereigenschaften wird extrem hochreines Silicium, z.B. in der Halbleiterindustrie eingesetzt. Darüber hinaus wird es als Legierungszusatz bei der Herstellung bestimmter Legierungen verwendet, wie z.B. Ferrosilicium, einer Legierung von Eisen und Silicium, über die Silicium Stahl und Gußeisen zugesetzt wird. Silicium wird außerdem bei der Glasherstellung verwendet.

   
 

   

Technische-Eigenschaften für  Silicium


Silicium Einkristall - Standard Produkte   Klicken Sie hier um alle Preise zu zeigen
SI002010Silicium Einkristall,    
Orientierung:(100), Dicke:0,38 mm, Durchmesser:76,2 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Phosphor, Elektrischer Typ:N-Typ
SI002011Silicium Einkristall,    
Orientierung:(111), Dicke:0,38 mm, Durchmesser:76,2 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Phosphor, Elektrischer Typ:N-Typ
SI002012Silicium Einkristall,    
Orientierung:(100), Dicke:0,38 mm, Durchmesser:76,2 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Bor, Elektrischer Typ:P-typ
SI002013Silicium Einkristall,    
Orientierung:(111), Dicke:0,38 mm, Durchmesser:76,2 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Bor, Elektrischer Typ:P-typ
 
SI002014Silicium Einkristall,    
Orientierung:(111), Dicke:0,4 mm, Durchmesser:50,8 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Phosphor, Elektrischer Typ:N-Typ
SI002015Silicium Einkristall,    
Orientierung:(100), Dicke:0,65 mm, Durchmesser:150 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Phosphor, Elektrischer Typ:N-Typ
SI002050Silicium Einkristall,    
Orientierung:(111), Dicke:0,50 mm, Durchmesser:76,2 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Phosphor, Elektrischer Typ:N-Typ
SI002076Silicium Einkristall,    
Orientierung:(111), Dicke:0,75 mm, Durchmesser:76,2 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Phosphor, Elektrischer Typ:N-Typ
SI002080Silicium Einkristall,    
Orientierung:(111), Dicke:1,0 mm, Durchmesser:57 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Bor, Elektrischer Typ:P-typ
 
SI002081Silicium Einkristall,    
Orientierung:(100), Dicke:1,0 mm, Durchmesser:9,5 mm, Reinheit:99,999 %, Elektrischer Typ:N-Typ
SI002090Silicium Einkristall,    
Orientierung:(100), Dicke:2,0 mm, Durchmesser:76,2 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Phosphor, Elektrischer Typ:N-Typ
SI002098Silicium Einkristall,    
Orientierung:(111), Dicke:10 mm, Durchmesser:90 mm, Reinheit:99,999 %, Dotierung:Phosphor, Elektrischer Typ:N-Typ
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